光刻机是芯片制造流程中,光刻工艺的核心设备。
光刻机(Mask Aligner),又或丛渗名掩模对准曝光机、曝光系统、光刻系统等,是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备。光刻机的主要性能指标有:支持基片的尺寸范围,分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。
其分为两种,一种是模板与图样大小一致的contact aligner,曝光时模板紧贴晶圆;另一种是利用短波长激光和类似投影机原理的步进式光刻机(stepper)或扫描式光刻机(scanner),获得比模板更小的曝光图样。
光刻机衫脊分类
光刻机一般根据操作的简便性分为三种,手动、半自动、全自动。手动,指的是对准的调节方式,是通过手调旋钮改变它的X轴,Y轴和thita角度来完成对准,对准精度可想而知不高了;半自动,指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐;自动,指的是从基板的上载下载,曝光时长郑睁和循环都是通过程序控制,自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。
接触式曝光(Contact Printing):掩膜板直接与光刻胶层接触,曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当,设备简单,接触式,根据施加力量的方式不同又分为:软接触,硬接触和真空接触。
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