1、简单地说,堆栈式CMOS的感光二极管在电路晶体管后方,进光量会因受到遮挡而减少,因而光线越弱成像旅旁越差。而背照式CMOS就是将电路晶体管和感光二极管的位置调转,光线首先进入感光二极管,这样就增大了感光量,从而显著提高塌敬低光照条件下的拍摄效果;2、堆栈式CMOS与背照式CNOS的显著区别就是工作方法不同;3、成像区别是,背照式CMOS接收的是经过感光二极管放大的光元素,一个像素点的面积可以被放大,所以背照式CMOS对弱光的捕捉能力更厉害,因而高感也就更强大,而堆栈式CMOS是先接收光元素后再由感光二极管进行工作,一个像素点的面积不会变大,因而对弱光的扑捉能力比背照式CMOS差,高感也就弱。但是,虽然堆栈式CMOS的高感不如背照式CMOS,但堆栈式CMOS接收的像素点是原始像素点,而背照式CMOS接收的放大后的像素点,因而两者拆衫橡的成像具有显著的区别,即在低感光度下堆栈式CMOS的锐度更高,而高感下背照式CMOS的噪点更少。希望对楼主有帮助。
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