IRF630编辑本段基本参数： 晶体管极性：N 漏极电流脊肆, Id 最大值：9A 电压, Vds 最大：200V 开态电阻, Rds(on)：0.4ohm 电压 @ Rds测量：10V 电压, Vgs 最高：3V 功耗：100W 封装类型：TO-220 针脚数：3 功率, Pd：100W 封装类型, 替代：SOT-78B 引脚节距：2.54mm 时裂瞎间, trr 典型值肆野空：170ns 晶体管数：1 晶体管类型：MOSFET 满功率温度：25°C 电容值, Ciss 典型值：540pF 电流, Idm 脉冲：36A 表面安装器件：通孔安装 针脚格式：1G 2+插口 D 3S 阈值电压, Vgs th 最低：2V 阈值电压, Vgs th 最高：4V
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